半导体加工工艺，本质上就是一个在硅晶圆上，不断曝光，蚀刻的过程。
而这个工艺的提升的过程，就是曝光时所用的底片图案，不断进行增密的一个过程。
在大家的传统印象里，底片的增密，就是底片精度的提高过程。增密底片图案，除了提高光刻机精度，就没有别的办法了吗？
在我们的日常生活当中，有个不恰当的例子，那就是套色印刷(或者是彩色打印）。
三色墨水，每个打印的精度都是相同的，但是三色重合打印，单色就变成了彩色！
颜色的精度，就从单色的8位，上升到了256位！
在2005年之后，由于工艺制程的提升，最小可分辨特征尺寸（MRF）已经远远小于光源波长，利用DUV光刻机已经无法一次刻蚀成型。
既然无法一次刻蚀成型，那就多刻蚀几次，每一次刻蚀一部分，然后拼凑成最终图案。
从每个部分图形的加工过程来说，用的都是原有的加工方法和设备，但它可以实现更高精度的芯片加工。
它就是《多重图案化技术》！
《多重图案法》就是将一个图形，分离成两个或者三个部分。每个部分按照通常的制程方法进行制作。整个图形最后再合并形成最终的图层。
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按照这个理论，图形精度简直可以无限分割下去。
但实际上，这个方案也有它的局限。
光刻机，做到了极限，是因为光波波长的缘故。
图案分割，做到最后，也会有这个问题。
当光罩上图形线宽尺寸接近光源波长时，衍射将会十分明显。
光刻机内部光路对于光线的俘获能力是有限的，如果没有足够的能量到达光刻胶上，光刻胶将无法充分反应，使得其尺寸和厚度不能达到要求。
在后续的显影、刻蚀工艺中起不到应有的作用，导致工艺的失败。
所以用这个方法，步进到7nm，就做不下去了。因为从原理上就出现了问题。
7nm之后，必须使用EUV（深紫）光刻机，那个对中国禁运的光刻机，就是这个道理。
在这个阶段（1微米），它还不是个问题。阻碍晶圆工艺进步的主要原因，来自生产设备，工艺，而不是原理。
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任何事情都有利有弊。
这种技术的优点非常突出。那就是不需改变现有设备，或者是做很少的改变，就可以达到提高晶圆工艺的要求。
但弊端也很突出。
第一个弊端，麻烦。
这个技术的思想雏形，第一次出现在130nm阶段，第一次完整出现，则是在30nm阶段。
为什么出现得这么晚？
每道图层，都要进行分解，想想就麻烦得很啊。这个方法，完全是没有办法的办法。
换个高精度的光刻机及其配套工艺，一下子不就解决了嘛！这
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